CS2N50 A4R Silicon N-Channel Power MOSFET
一般描述:
CS2N50A4R,硅N通道增强VDMOSFET,是通过自对准技术获得的,它降低了导通损耗,提高了开关性能,增强了t 他的雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-252,符合RoHS标准 。
特点:
优越的开关性能
低电阻(Rdson≤6Ω)
低栅电荷(典型数据:7.9nC)
低反向传输电容(典型的2.2pF)
100%单脉冲雪崩能量 测试
应用:
适配器和充电器的电源开关电路。