CS12N80FA9RD

CS12N80F A9RD   Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS12N80FA9RD，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能 增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-220F，符合Ro 房协标准。

特点：

快速开关

低电阻

低门电荷

低反向传输电容

100%单脉冲雪崩能量测试

应用：

LED电源和充电器。