CS01N100A4R

CS01N100 A4R    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS01N100A4R，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能 增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-252，符合RoHS 标准。

特点：

快速开关

低电阻(Rdson≤110Ω)

低门电荷(典型数据：8nC)

低反向传输电容(典型：2.67p F)

100%单脉冲雪崩能量测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。