CS3N150AKR

CS3N150 AKR    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS3N150AKR，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能和e 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-247，符合RoHS 标准。

特点：

快速开关

低导通电阻(Rdson≤6.5Ω)

低门电荷(典型数据：37.6nC)

低反向传输电容(典型：2.8pF)

100%单脉冲雪崩能量 测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。