BT25T120 CKR Silicon FS Trench IGBT
一般描述：
采用华金的专有沟槽设计，先进的FS（现场停止）技术，并与自由轮式二极管集成，1200V沟槽FSIGBT提供优越的传导和SW 瘙痒性能，高雪崩坚固性。
特点：
沟槽FS技术，正温度系数
低饱和电压：VCE(SAT)，类型=1.95V@IC=25A
极强的雪崩 能力
应用：
电磁炉(IH)电源开关电路)。
