CS3N40 A4H Silicon N-Channel Power MOSFET
一般描述:
CS3N40A4H,硅N通道增强VDMOSFET,是通过自对齐平面技术获得的,它降低了导通损耗,提高了开关性能和EN 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-252,符合RoHS 拖沓。
特点:
l快速开关l低导通电阻(Rdson≤3.4Ω)
l低门电荷(典型数据:5nC)
l低反向传输电容(典型:4.5pF)
l100%单脉冲雪崩能量测试A
应用:
液晶电源和适配器的电源开关电路。