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突破“算力卡脖子”:中国AI芯片的突围与DeepSeek的破局实践
近年来,随着人工智能、大数据和云计算等技术的迅猛发展,算力需求呈现爆发式增长。在这一背景下,国产算力芯片的崛起成为全球半导体产业格局中的重要变量。深度求索(DeepSeek)推出的DeepSeek一体机,搭载国产高性能AI芯片,不仅展现了我国在人工智能计算领域的突破,更标志着国产半导体产业链的加速成熟。1. 全球半导体竞争格局下的中国突围半导体产业被誉为现代工业的“粮食”,其核心芯片技术长期...
《智变2025:半导体产业三重变奏曲下的突围与重构》
一、行业信心回暖但隐忧浮现毕马威联合全球半导体联盟发布的第20次年度调查报告显示,行业信心指数跃升至59(基准值50),较去年提升5个基点。值得关注的是,不同体量企业呈现显著差异:• 独角兽阵营(营收≥10亿):58(审慎扩张)•成长型企业(1−9.99亿):58(审慎扩张)•成长型企业(1−9.99亿):54(战略聚焦)• 创新先锋(<1亿$):68(高速突进)二、AI革命重构产业价值版图...
"芯"动未来:中马半导体战略协同开启全球产业链新格局
战略升级:从贸易伙伴到创新共同体4月17日发布的《中马高水平战略性命运共同体联合声明》中,半导体产业链合作被置于战略核心地位。根据第十七条规划,双方将在人工智能、量子技术等新质生产力领域构筑合作增长极,同步推进5G基建、智慧城市及半导体产业链深度融合。这志着两国合作正从传统贸易向技术共研、产业协同的深水区迈进。三十年积淀铸就合作基石回溯合作历程,马来西亚凭借13%的全球封测市场份额及战略性区...
飞捷士LM358DR
LM358DR 是一款由 Texas Instruments(TI) 设计生产的 双通道低功耗运算放大器(Op-Amp),属于通用型运算放大器,广泛应用于各种模拟信号处理电路中。主要特性双通道设计:集成两个独立的高增益运算放大器,节省PCB空间。宽电源电压范围:单电源供电:3V ~ 32V双电源供电:±1.5V ~ ±16V低功耗:静态电流低至 0.7mA(每通道),适合电池供电设备。高增益...
“关税战”下的华强北,“让子弹再飞一会儿”
“魔幻。”华强电子世界管理有限公司副总经理王承珠用这个词形容过去的几天。“商户现在最关心的只有一个话题,就是‘对等关税’。”54%、104%、125%、145%。自美国对外宣布实施所谓“对等关税”计划以来,美国对华关税步步走高。朝令夕改的关税政策,让全球电子信息产业链面临着巨大的不确定性。华强北作为中国电子产业的标志性集散地,在全球贸易摩擦尤其是中美关税战中首当其冲。这一区域的经济韧性、产业...
元旦放假通知 | 飞捷士科技
PA341DF
Mouser编号:137-PA341DF制造商编号:PA341DF制造商:Apex 说明:运算放大器 - 运放 IC OpAmp 350V, 120mA PeakPA341是一款高电压单片MOSFET运算放大器,具有以下主要特性:高电压操作:PA341能够在高达-350V的电压下工作,适用于高压应用场景。低静态电流:在典型情况下,其静态电流为2.2mA,适合低功耗设计。无二次...
CS7N65A3R:电子领域的**之选
一、CS7N65A3R 是什么?CS7N65A3R 是一种性能**的硅 N 沟道增强型 vdmos。它通过自对准平面工艺制备而成,这一先进工艺不仅降低了导通损耗,还显著改善了性能,极大地提高了雪崩能量。在特征方面,CS7N65A3R 具备快速切换的能力,其低导通电阻(Rdson≤1.4Ω)使得电流在通过时的能量损失大大减少。同时,低门电荷(典型数据:24nC) 和低反向转移电容 (典型值:5...
CS4N65F A9R:**性能的高压 MOS 管
在电子领域的不断发展中,高性能的电子元件起着至关重要的作用。今天,我们就来深入了解一款备受瞩目的高压 MOS 管 ——CS4N65F A9R。一、CS4N65F A9R 是什么?CS4N65F A9R 是一款由知名厂商推出的高压 MOS 管。它采用先进的制造工艺,具有出色的性能和可靠性。其封装形式为常见的TO-220F,便于在各种电子设备中安装和使用。二、CS4N65F A9R 的特点1. ...
CS30N20FA9R:高性能高压 MOS 管
一、CS30N20FA9R 是什么CS30N20FA9R 是一款性能**的高压 MOS 管。它拥有 200V 的高电压和 30A 的大电流承载能力,这使得它在众多电子设备中能够发挥关键作用。其绝缘栅类型为 N 沟道增强型,这种设计能够提供高效的电流控制和开关性能。在用途方面,CS30N20FA9R 适用于 DC / 直流电路,为各种直流电源管理和控制应用提供了可靠的解决方案。封装为 TO-2...
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