一般描述：
CS6N40A3R，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能和EN 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-251，符合RoHS 拖沓。
特点：
快速开关低电阻(Rdson≤1Ω)
低门电荷(典型数据：12.6nC)
低反向传输电容(典型的5.1pF)
100%单脉冲雪崩能量测试A
应用：
适配器和充电器的电源开关电路。
