CS6N40 A4R Silicon N-Channel Power MOSFET
一般描述:
CS6N40A4R,硅N通道增强VDMOSFET,是通过自对齐平面技术获得的,它降低了导通损耗,提高了开关性能和EN 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-252,符合RoHS 拖沓。
特点:
快速开关
低电阻(Rdson≤1Ω)
低门电荷(典型数据:12.6nC)
低反向传输电容(典型的5.1pF)100%单脉冲雪崩能量测试A
应用:
适配器和充电器的电源开关电路。