CS6N40A4R

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CS6N40 A4R    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述:

CS6N40A4R,硅N通道增强VDMOSFET,是通过自对齐平面技术获得的,它降低了导通损耗,提高了开关性能和EN 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-252,符合RoHS 拖沓。

特点:

快速开关

低电阻(Rdson≤1Ω)

低门电荷(典型数据:12.6nC)

低反向传输电容(典型的5.1pF)100%单脉冲雪崩能量测试A  

应用:

适配器和充电器的电源开关电路。

型号
CS6N40A4R
品牌
华润华晶
封装
TO-252
极性
N
耐压
400
电流
6
内阻
800mΩ
主频
0