CS19N40 ANR Silicon N-Channel Power MOSFET
一般描述:
CS19N40ANR是硅N通道增强VDMOSFET,是通过自对齐平面技术获得的,它降低了导通损耗,提高了开关性能和e 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路,用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-3P(N),符合RoH 标准。
特点:
快速开关
低导通电阻(Rdson≤0.30Ω)
低门电荷(典型数据:42nC)
低反向传输电容(典型:12.3pF)
100%单脉冲雪崩能量 测试
应用:
电子镇流器和适配器的电源开关电路。