CS3N50A4R

CS3N50 A4R    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS3N50A4R，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对准技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了t   他的雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-252，符合RoHS标准 。

特点：

优越的开关性能

低电阻(Rdson≤3Ω)

低栅电荷(典型数据：8.8nC)

低反向传输电容(典型的2.6pF)

100%单脉冲雪崩能量   测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。