CS8N70FA9RD

CS8N70F A9RD    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS8N70FA9RD，硅N通道增强VDMOSFET，是通过自对齐平面技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能和   增强雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-220F，符合RoH 标准。

特点：

快速开关

低开阻(Rdson≤1.15Ω)

低门电荷(典型数据：29nC)

低反向传输电容(典型：5.3pF)l100%单脉冲雪崩能量   测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。