CS12P03AE

CS12P03 AE-G    Silicon P-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS12P03AE-G，硅P通道增强VDMOSFET，是通过先进的沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了开关性能 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为SOP-8，符合RoHS标准。

特点：

快速开关

低导通电阻(Rdson≤13.5mΩ)

低门电荷(典型数据：50nC)

低反向传输电容(典型：281pF)

100%单脉冲雪崩能量测试

无卤

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。