HGQ011N03A-G
Silicon N-Channel Power MOSFET
描述
HGQ011N03A-G,采用高密度沟槽技术，降低了导电损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量，得到了硅N通道增强的VDMOSFET。 本装置适用于A负载开关和PWM应用。 包装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准。
特点：
●快速开关
●低电阻
●低门电荷，低反向传输电容
●100%单脉冲雪崩能量测试
●无卤
应用：
适配器和充电器的电源开关电路
