CS300N04 A8 Silicon N-Channel Power MOSFET
一般描述:
CS300N04A8,硅N通道增强VDMOSFET,是通过降低导通损耗,提高开关性能和e的高密度沟槽技术获得的 雪崩能量。 本装置适用于负载开关和PWM应用。 包装形式为TO-220AB,符合RoHS标准。
特点:
l快速切换
低电阻(Rdson≤2.0mΩ)
低门电荷l低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
应用:
BLDC电机驱动应用l半桥和全- 桥接拓扑
同步整流器应用
DC/DC和AC/DC变换器