描述：
CS120N08A0，硅N通道增强VDMOSFET，是通过先进的沟槽技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-263，符合RoHS标准。
特点：
快速开关
低电阻(Rdson≤7.5mΩ)
低门电荷(典型数据：74.4nC)
低反向传输电容(典型：253p F)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用：
适配器和充电器的电源开关电路。
