CS 华晶 CS55N10AQ3-G

CS55N10 AQ3-G Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS55N10AQ3-G，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，降低了导通损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。 本装置适用于负载开关和PWM应用。 包装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准。

特点：

l快速开关

l低开阻(Rdson≤15mΩ)

l低门电荷l低反向传输电容

l100%单脉冲雪崩能量测试

l无卤

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。