CS 华晶 CS10N15A3

CS10N15 A3Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS10N15A3，硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，它降低了传导损耗，提高了开关性能，增强了雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-251，符合RoHS标准。

特点：

快速开关

低电阻(Rdson≤300mΩ)

低门电荷，低反向传输电容

100%单脉冲雪崩能量测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。