CRTT360N20N
Trench N-MOSFET 200V, 30mΩ, 50A
特征
采用CRM(CQ)先进的沟槽技术
极低的导通电阻RDS(ON)
优良的QgxRDS(ON)产品(FOM)
符合JEDEC标准
应用
电机控制和驱动
电池管理
UPS(不可中断的电源)