CS 华晶 CS30N25FA9R

CS30N25FA9R    Silicon N-Channel Power MOSFET

一般描述：

CS30N25FA9R,硅N通道增强VDMOSFET，是通过高密度沟槽技术获得的，它降低了导通损耗，提高了开关性能和增强性能 雪崩能量。 该晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。 包装形式为TO-252，符合RoHSsta 恩达德。

特点：

紧开关

ESD提高能力

低开阻

低门电荷

低反向传输电容

100%单脉冲雪崩能量测试

应用：

适配器和充电器的电源开关电路。